Silicon Carbide Sic graphite crucible mo u'amea liusuavai ma le vevela maualuga
Silicon Carbide Crucible Performance
Parameter | Fa'amaumauga | Parameter | Fa'amaumauga |
SiC | ≥85% | Malosi Tu'imomomo Malili | ≥100MPa |
SiO₂ | ≤10% | E aliali mai Porosity | ≤%18 |
Fe₂O₃ | <1% | Tete'e o le vevela | ≥1700°C |
Ole tele ole Density | ≥2.60 g/cm³ | E mafai ona tatou gaosia e tusa ai ma manaoga o tagata faatau |
Fa'amatalaga
I le avea ai o se ituaiga o oloa refractory alualu i luma, Silicon carbide graphite crucible o le mea refractory lelei i le alamanuia metallurgy pauta (tele omomi uʻamea ala umu).O le Silicon carbide graphite crucible na gaosia e Rongsheng Group e faʻaaogaina le 98% maualuga-grade silicon carbide graphite graphite, ma se faʻagasologa faʻapitoa e faʻaopoopoina i le filifilia o mea mataʻutia e faʻamautinoa ai le maualuga o le mama o mea mata.
Silicon carbide graphite crucible o loʻo faʻaaogaina lautele i alamanuia vailaʻau, mea le lelei ma le omomi uʻamea, uʻamea uʻamea, faʻatupuina eletise photovoltaic, malosiaga faaniukilia ma ogaumu eseese, e pei o le ogaumu masani, ogaumu eletise, ogaumu tetee, ogaumu tioata carbon, ogaumu mumu, ma isi.
Talosaga
Silicon Carbide Graphite Crucible ua avea ma filifiliga lauiloa mo vailaʻau faʻamaʻi, uʻamea ma uʻamea, gaosi eletise photovoltaic, ma afi eletise faaniukilia.E talafeagai foi mo le faʻaaogaina i le tele o ogaumu e pei ole feololo, electromagnetic, teteʻe, tioata kaponi, ma ogaumu laiti ona o lona lelei tele o le vevela, maualuga le vevela, faʻafefe maualuga, ma le teteʻe i le vevela.
Gufan Sic crucible Fa'amanuiaga
Silicon carbide graphite crucible gaosia e Gufan Carbon Co.Ltd.i ai uiga o le fetuutuunai lelei, e le faigofie ona ta'e, ma le umi o le soifua tautua, ma le tele foi gafatia o le sagger faateleina ai le gaosiga, faʻamaonia le lelei, laveai galuega ma le tele o tau.